DMN61D8LVT-13
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- 制造商编号：
- DMN61D8LVT-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.807332 | ￥5.81 |
| 10 | ￥4.991833 | ￥49.92 |
| 25 | ￥4.655749 | ￥116.39 |
| 100 | ￥3.458452 | ￥345.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 740 pC
耗散功率 1.09 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 440 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 301 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 582 ns
典型接通延迟时间 131 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN61D8LVT-13 同类别型号
注
DMN61D8LVT-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN61D8LVT-13
数据手册PDF
。
DMN61D8LVT-13
型号：DMN61D8LVT-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.807332 |
| 10+： | ￥4.991833 |
| 25+： | ￥4.655749 |
| 100+： | ￥3.458452 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.81