SIS903DN-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIS903DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
- 渠道：
- digikey
库存 ：7748
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.881681 | ￥22.88 |
| 10 | ￥14.410914 | ￥144.11 |
| 100 | ￥9.589091 | ￥958.91 |
| 500 | ￥7.520042 | ￥3760.02 |
| 1000 | ￥6.85405 | ￥6854.05 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 20.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 28 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 63 ns
正向跨导（Min） 32 S
上升时间 54 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 135 ns
典型接通延迟时间 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SIS903DN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS903DN-T1-GE3
型号：SIS903DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7748 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.881681 |
| 10+： | ￥14.410914 |
| 100+： | ￥9.589091 |
| 500+： | ￥7.520042 |
| 1000+： | ￥6.85405 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.88