DMC1029UFDB-7
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- 制造商编号：
- DMC1029UFDB-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：69000
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.6 A, 3.8 A
漏源电阻 29 mOhms, 61 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 19.6 nC, 10.7 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 mg
DMC1029UFDB-7 同类别型号
注
DMC1029UFDB-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMC1029UFDB-7
数据手册PDF
。
DMC1029UFDB-7
型号：DMC1029UFDB-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：69000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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