APTM100DA18TG
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- 制造商编号：
- APTM100DA18TG
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：100
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 100 | ￥989.183288 | ￥98918.33 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM100DA18TG
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
210mOhm @ 21.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
372nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
10400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
SP4
封装/外壳
SP4
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注
APTM100DA18TG品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
APTM100DA18TG
型号：APTM100DA18TG
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 100+： | ￥989.183288 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00