SI5922DU-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI5922DU-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：924
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.225227 | ￥7.23 |
| 10 | ￥6.247697 | ￥62.48 |
| 25 | ￥5.825517 | ￥145.64 |
| 100 | ￥4.328053 | ￥432.81 |
| 250 | ￥4.111863 | ￥1027.97 |
| 500 | ￥3.37914 | ￥1689.57 |
| 1000 | ￥2.74672 | ￥2746.72 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 19.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 10.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85 mg
SI5922DU-T1-GE3 同类别型号
注
SI5922DU-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI5922DU-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5922DU-T1-GE3
型号：SI5922DU-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：924 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.225227 |
| 10+： | ￥6.247697 |
| 25+： | ￥5.825517 |
| 100+： | ￥4.328053 |
| 250+： | ￥4.111863 |
| 500+： | ￥3.37914 |
| 1000+： | ￥2.74672 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.23