货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.301572 | ¥6.30 |
10 | ¥5.449007 | ¥54.49 |
25 | ¥5.080796 | ¥127.02 |
100 | ¥3.774766 | ¥377.48 |
250 | ¥3.586212 | ¥896.55 |
500 | ¥2.947159 | ¥1473.58 |
1000 | ¥2.395585 | ¥2395.59 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 19.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 10.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85 mg
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0SI5922DU-T1-GE3
型号:SI5922DU-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.301572 |
10+: | ¥5.449007 |
25+: | ¥5.080796 |
100+: | ¥3.774766 |
250+: | ¥3.586212 |
500+: | ¥2.947159 |
1000+: | ¥2.395585 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.30