QS8M13TCR
库存 ：17805
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.232464 | ￥12.23 |
| 10 | ￥10.93508 | ￥109.35 |
| 25 | ￥10.37906 | ￥259.48 |
| 100 | ￥7.784294 | ￥778.43 |
| 250 | ￥7.710158 | ￥1927.54 |
| 500 | ￥6.598117 | ￥3299.06 |
| 1000 | ￥5.374871 | ￥5374.87 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A, 5 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8M13
单位重量 10 mg
QS8M13TCR 同类别型号
注
QS8M13TCR
型号：QS8M13TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：17805 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.232464 |
| 10+： | ￥10.93508 |
| 25+： | ￥10.37906 |
| 100+： | ￥7.784294 |
| 250+： | ￥7.710158 |
| 500+： | ￥6.598117 |
| 1000+： | ￥5.374871 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.23