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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 139 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
湿度敏感性 Yes
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPI100N12S3-05 SP001399692
单位重量 2.387 g
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0IPI100N12S305AKSA1
型号:IPI100N12S305AKSA1
品牌:INFINEON
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