STGP4M65DF2
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.060196 | ￥13.06 |
| 10 | ￥10.672046 | ￥106.72 |
| 100 | ￥8.300066 | ￥830.01 |
| 500 | ￥7.034844 | ￥3517.42 |
| 1000 | ￥5.730691 | ￥5730.69 |
| 2000 | ￥5.394857 | ￥10789.71 |
| 5000 | ￥5.137883 | ￥25689.42 |
| 10000 | ￥4.900808 | ￥49008.08 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGP4M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
包装
-
系列
M
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
16A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大值
68W
开关能量
40µJ (on), 136µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
15.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V, 4A, 47Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
STGP4M65DF2 同类别型号
注
STGP4M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGP4M65DF2
数据手册PDF。
STGP4M65DF2
型号：STGP4M65DF2
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.060196 |
| 10+： | ￥10.672046 |
| 100+： | ￥8.300066 |
| 500+： | ￥7.034844 |
| 1000+： | ￥5.730691 |
| 2000+： | ￥5.394857 |
| 5000+： | ￥5.137883 |
| 10000+： | ￥4.900808 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.06