FGY100T65SCDT
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥89.268184 | ￥89.27 |
| 30 | ￥72.259647 | ￥2167.79 |
| 120 | ￥68.009503 | ￥8161.14 |
| 510 | ￥61.633727 | ￥31433.20 |
| 1020 | ￥56.532999 | ￥57663.66 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 200 A
耗散功率 750 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 9.695 g
FGY100T65SCDT 同类别型号
注
FGY100T65SCDT品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGY100T65SCDT
数据手册PDF。
FGY100T65SCDT
型号：FGY100T65SCDT
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥89.268184 |
| 30+： | ￥72.259647 |
| 120+： | ￥68.009503 |
| 510+： | ￥61.633727 |
| 1020+： | ￥56.532999 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥89.27