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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 200 A
耗散功率 750 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 9.695 g
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0FGY100T65SCDT
型号:FGY100T65SCDT
品牌:ON
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