货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.344505 | ¥13.34 |
10 | ¥11.911207 | ¥119.11 |
25 | ¥11.303291 | ¥282.58 |
100 | ¥8.477468 | ¥847.75 |
250 | ¥8.396166 | ¥2099.04 |
500 | ¥7.185276 | ¥3592.64 |
1000 | ¥5.853296 | ¥5853.30 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 6.75 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.3 nC
耗散功率 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 46 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
购物车
0SIZ350DT-T1-GE3
型号:SIZ350DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.344505 |
10+: | ¥11.911207 |
25+: | ¥11.303291 |
100+: | ¥8.477468 |
250+: | ¥8.396166 |
500+: | ¥7.185276 |
1000+: | ¥5.853296 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.34