STGW30M65DF2
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.6689 | ￥20.67 |
| 10 | ￥18.551598 | ￥185.52 |
| 100 | ￥15.198643 | ￥1519.86 |
| 500 | ￥12.938396 | ￥6469.20 |
| 1000 | ￥10.911947 | ￥10911.95 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGW30M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V, 30A
功率 - 最大值
258W
开关能量
300µJ (on), 960µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
80nC
25°C 时 Td（开/关）值
31.6ns/115ns
测试条件
400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
140ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
STGW30M65DF2 同类别型号
注
STGW30M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGW30M65DF2
数据手册PDF。
STGW30M65DF2
型号：STGW30M65DF2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.6689 |
| 10+： | ￥18.551598 |
| 100+： | ￥15.198643 |
| 500+： | ￥12.938396 |
| 1000+： | ￥10.911947 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.67