SIB900EDK-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIB900EDK-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.744962 | ￥8234.89 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIB900EDK-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® SC-75-6L Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SC-75-6L Dual
SIB900EDK-T1-GE3 同类别型号
注
SIB900EDK-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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SIB900EDK-T1-GE3
型号：SIB900EDK-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.744962 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00