NTMD2P01R2
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMD2P01R2
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
16V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.3A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 2.4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
750pF @ 16V
功率 - 最大值
710mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
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注
NTMD2P01R2
型号：NTMD2P01R2
品牌：ON
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