US6J11TR
库存 ：5875
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.97486 | ￥7.97 |
| 10 | ￥6.828474 | ￥68.28 |
| 100 | ￥4.745042 | ￥474.50 |
| 500 | ￥3.704572 | ￥1852.29 |
| 1000 | ￥3.011009 | ￥3011.01 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 1.4 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6J11
单位重量 7.500 mg
US6J11TR 同类别型号
注
US6J11TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、US6J11TR
数据手册PDF。
US6J11TR
型号：US6J11TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：5875 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.97486 |
| 10+： | ￥6.828474 |
| 100+： | ￥4.745042 |
| 500+： | ￥3.704572 |
| 1000+： | ￥3.011009 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.97