货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥1.389779 | ¥1.39 |
10 | ¥1.357952 | ¥13.58 |
30 | ¥1.336734 | ¥40.10 |
100 | ¥1.315516 | ¥131.55 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 17.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 31 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR770DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR770DP-T1-GE3
型号:SIR770DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.389779 |
10+: | ¥1.357952 |
30+: | ¥1.336734 |
100+: | ¥1.315516 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.39