货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥37.60908 | ¥37.61 |
10 | ¥33.807069 | ¥338.07 |
100 | ¥27.697135 | ¥2769.71 |
500 | ¥23.577811 | ¥11788.91 |
1000 | ¥20.099279 | ¥20099.28 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 88 A
耗散功率 326 W
集电极连续电流(Max) 88 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGS00TS65DHR
购物车
0RGS00TS65DHRC11
型号:RGS00TS65DHRC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.60908 |
10+: | ¥33.807069 |
100+: | ¥27.697135 |
500+: | ¥23.577811 |
1000+: | ¥20.099279 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥37.61