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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 6 A, 4 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.4 nC, 20 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 27 ns, 22 ns
上升时间 30 ns, 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns, 90 ns
典型接通延迟时间 19 ns, 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP8M21FRA
单位重量 83 mg
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0SP8M21FRATB
型号:SP8M21FRATB
品牌:ROHM
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