SIRB40DP-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIRB40DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.981677 | ￥11945.03 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 3.25 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 46.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 76 S
上升时间 96 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 29 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIRB40DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIRB40DP-T1-GE3
型号：SIRB40DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.981677 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00