SIA975DJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA975DJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：206713
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.612936 | ￥7.61 |
| 10 | ￥6.673213 | ￥66.73 |
| 100 | ￥5.119699 | ￥511.97 |
| 500 | ￥4.046752 | ￥2023.38 |
| 1000 | ￥3.237401 | ￥3237.40 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 33 mOhms, 33 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns, 15 ns
正向跨导（Min） 12 S, 12 S
上升时间 22 ns, 22 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns, 32 ns
典型接通延迟时间 22 ns, 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA975DJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA975DJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA975DJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIA975DJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA975DJ-T1-GE3
型号：SIA975DJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：206713 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.612936 |
| 10+： | ￥6.673213 |
| 100+： | ￥5.119699 |
| 500+： | ￥4.046752 |
| 1000+： | ￥3.237401 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥7.61