FS800R07A2E3B32BOSA1
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- 制造商编号：
- FS800R07A2E3B32BOSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MODULES
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3 | ￥12561.434934 | ￥37684.30 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
产品 IGBT Silicon Modules
商标 Infineon Technologies
技术类参数
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.4 V
在25 C的连续集电极电流 800 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
耗散功率 1.5 kW
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Modules
零件号别名 FS800R07A2E3_B32 SP001240894
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注
FS800R07A2E3B32BOSA1
型号：FS800R07A2E3B32BOSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3+： | ￥12561.434934 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00