NTLJD3119CTBG

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 21 V, 20 V

漏极电流 3.8 A

漏源电阻 100 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 3.7 nC, 5.5 nC

耗散功率 710 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 4.7 ns, 13.2 ns

正向跨导（Min） 4.2 S, 3.1 S

上升时间 4.7 ns, 13.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 11.1 ns, 13.7 ns

典型接通延迟时间 3.8 ns, 5.2 ns

高度 0.75 mm

长度 2 mm

宽度 2 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 20 mg