
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥45.029038 | ¥45.03 |
| 10 | ¥40.424782 | ¥404.25 |
| 100 | ¥33.118786 | ¥3311.88 |
| 500 | ¥28.1931 | ¥14096.55 |
| 1000 | ¥23.77736 | ¥23777.36 |
| 2000 | ¥22.588506 | ¥45177.01 |
| 5000 | ¥21.739325 | ¥108696.63 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 0.65 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXTA1R6N100D2
型号:IXTA1R6N100D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥45.029038 |
| 10+: | ¥40.424782 |
| 100+: | ¥33.118786 |
| 500+: | ¥28.1931 |
| 1000+: | ¥23.77736 |
| 2000+: | ¥22.588506 |
| 5000+: | ¥21.739325 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥45.03