商品描述
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
70mOhm @ 2A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.73nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
75pF @ 50V