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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 106 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RCJ200N20
单位重量 4 g
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0RCJ200N20TL
型号:RCJ200N20TL
品牌:ROHM
供货:锐单
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