EPC2101
库存 ：9795
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥103.848095 | ￥103.85 |
| 10 | ￥93.817473 | ￥938.17 |
| 25 | ￥89.45387 | ￥2236.35 |
| 100 | ￥74.181259 | ￥7418.13 |
| 250 | ￥69.817654 | ￥17454.41 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2101
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A, 38A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
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注
EPC2101
型号：EPC2101
品牌：EPS
供货：锐单
库存：9795 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥103.848095 |
| 10+： | ￥93.817473 |
| 25+： | ￥89.45387 |
| 100+： | ￥74.181259 |
| 250+： | ￥69.817654 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥103.85