商品描述
MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate, 4V Drive
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
64mOhm @ 4.5A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
280pF @ 10V
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)