TSM200N03DPQ33 RGG
库存 ：14718
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.394379 | ￥22.39 |
| 10 | ￥20.009178 | ￥200.09 |
| 100 | ￥15.604509 | ￥1560.45 |
| 500 | ￥12.890151 | ￥6445.08 |
| 1000 | ￥10.176457 | ￥10176.46 |
| 2000 | ￥9.498 | ￥18996.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.6 ns
正向跨导（Min） 13 S
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 Dual N-Channel PowerMOSFET
典型关闭延迟时间 15.8 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM200N03DPQ33
单位重量 304.151 mg
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注
TSM200N03DPQ33 RGG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TSM200N03DPQ33 RGG
数据手册PDF。
TSM200N03DPQ33 RGG
型号：TSM200N03DPQ33 RGG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：14718 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.394379 |
| 10+： | ￥20.009178 |
| 100+： | ￥15.604509 |
| 500+： | ￥12.890151 |
| 1000+： | ￥10.176457 |
| 2000+： | ￥9.498 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.39