EPC2101ENGRT
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2101ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A, 38A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11.5mOhm @ 20A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
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注
EPC2101ENGRT
型号：EPC2101ENGRT
品牌：EPS
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