SP8K1TB
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.336556 | ￥2.34 |
| 10 | ￥1.726531 | ￥17.27 |
| 30 | ￥1.614492 | ￥48.43 |
| 100 | ￥1.502452 | ￥150.25 |
| 500 | ￥1.452769 | ￥726.38 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SP8K1TB 同类别型号
注
SP8K1TB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
SP8K1TB
型号：SP8K1TB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.336556 |
| 10+： | ￥1.726531 |
| 30+： | ￥1.614492 |
| 100+： | ￥1.502452 |
| 500+： | ￥1.452769 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.34