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SIR800DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIR800DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :6377

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.547095 19.55
10 16.235296 162.35
100 12.922249 1292.22
500 10.934422 5467.21
1000 9.277774 9277.77

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 50 A

漏源电阻 2.3 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 133 nC

耗散功率 69 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIR800DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SIR800DP-T1-GE3

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型号:SIR800DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:6377 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.547095
10+: ¥16.235296
100+: ¥12.922249
500+: ¥10.934422
1000+: ¥9.277774

货期:7-10天

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