货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥76.929929 | ¥76.93 |
10 | ¥74.85619 | ¥748.56 |
30 | ¥73.459297 | ¥2203.78 |
100 | ¥72.076805 | ¥7207.68 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.45 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 223 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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0NGTB50N60FWG
型号:NGTB50N60FWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥76.929929 |
10+: | ¥74.85619 |
30+: | ¥73.459297 |
100+: | ¥72.076805 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥76.93