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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 250 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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0NGTG30N60FLWG
型号:NGTG30N60FLWG
品牌:ON
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