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制造商 Infineon
产品 IGBT Silicon Modules
商标 Infineon Technologies
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 1700 V
饱和电压 2.6 V
在25 C的连续集电极电流 650 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
耗散功率 3.1 kW
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
高度 38 mm
长度 140 mm
宽度 73 mm
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 IGBT Modules
零件号别名 SP000100551 FF401R17KF6CB2NOSA1
单位重量 500 g
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0FF401R17KF6C_B2
型号:FF401R17KF6C_B2
品牌:INFINEON
供货:锐单
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