NGTG30N60FWG
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.184571 | ￥43.18 |
| 10 | ￥38.1471 | ￥381.47 |
| 30 | ￥35.087464 | ￥1052.62 |
| 100 | ￥27.842684 | ￥2784.27 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.45 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 167 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
NGTG30N60FWG 同类别型号
注
NGTG30N60FWG
型号：NGTG30N60FWG
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥43.184571 |
| 10+： | ￥38.1471 |
| 30+： | ￥35.087464 |
| 100+： | ￥27.842684 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.18