货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.307661 | ¥21.31 |
10 | ¥19.117706 | ¥191.18 |
100 | ¥15.367558 | ¥1536.76 |
500 | ¥12.62621 | ¥6313.11 |
1000 | ¥10.461826 | ¥10461.83 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns, 12 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 11 ns, 150 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 47 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7611DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SI7611DN-T1-GE3
型号:SI7611DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.307661 |
10+: | ¥19.117706 |
100+: | ¥15.367558 |
500+: | ¥12.62621 |
1000+: | ¥10.461826 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.31