货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.305251 | ¥18.31 |
10 | ¥16.460425 | ¥164.60 |
100 | ¥13.23198 | ¥1323.20 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 25.5 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 120 ns
正向跨导(Min) 24 S
上升时间 270 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQP27N25_NL
单位重量 2 g
购物车
0FQP27N25
型号:FQP27N25
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.305251 |
10+: | ¥16.460425 |
100+: | ¥13.23198 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.31