EFC6611R-A-TF
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：592
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 592 | ￥3.050306 | ￥1805.78 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17700 ns
正向跨导（Min） 19 S
上升时间 570 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38000 ns
典型接通延迟时间 80 ns
规格参数
开发套件 -
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 60 mg
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注
EFC6611R-A-TF品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EFC6611R-A-TF
数据手册PDF。
EFC6611R-A-TF
型号：EFC6611R-A-TF
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 592+： | ￥3.050306 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00