货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.189528 | ¥5.19 |
10 | ¥3.87979 | ¥38.80 |
100 | ¥2.198137 | ¥219.81 |
500 | ¥1.45554 | ¥727.77 |
1000 | ¥1.115994 | ¥1115.99 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 304 pC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.9 ns
正向跨导(Min) 80 ms
上升时间 3.4 ns
典型关闭延迟时间 15.7 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN601DWKQ-7
型号:DMN601DWKQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.189528 |
10+: | ¥3.87979 |
100+: | ¥2.198137 |
500+: | ¥1.45554 |
1000+: | ¥1.115994 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.19