FGA50N100BNTD2
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FGA50N100BNTD2
制造商
ON(安森美)
商品描述
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
NPT and Trench
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.9V @ 15V, 60A
功率 - 最大值
156W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
257nC
25°C 时 Td（开/关）值
34ns/243ns
测试条件
600V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
75ns
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
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注
FGA50N100BNTD2品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
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数据手册PDF。
FGA50N100BNTD2
型号：FGA50N100BNTD2
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
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