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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.373415 | ¥2.37 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 20 Ohms
栅极电压 - 7 V, + 7 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 20 mS
晶体管类型 2 N-Channel
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0SSM6N17FU(TE85L,F)
型号:SSM6N17FU(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.373415 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.37