货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥32.135538 | ¥32.14 |
10 | ¥28.878648 | ¥288.79 |
100 | ¥23.659623 | ¥2365.96 |
500 | ¥20.140732 | ¥10070.37 |
1000 | ¥16.986182 | ¥16986.18 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 349 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.401 g
购物车
0FGA40N65SMD
型号:FGA40N65SMD
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥32.135538 |
10+: | ¥28.878648 |
100+: | ¥23.659623 |
500+: | ¥20.140732 |
1000+: | ¥16.986182 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥32.14