货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.662818 | ¥5.66 |
10 | ¥4.171994 | ¥41.72 |
100 | ¥2.36336 | ¥236.34 |
500 | ¥1.565249 | ¥782.62 |
1000 | ¥1.200055 | ¥1200.06 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 20 Ohms
栅极电压 - 7 V, + 7 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 20 mS
晶体管类型 2 N-Channel
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0SSM6N17FU(TE85L,F)
型号:SSM6N17FU(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.662818 |
10+: | ¥4.171994 |
100+: | ¥2.36336 |
500+: | ¥1.565249 |
1000+: | ¥1.200055 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.66