货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥46.113922 | ¥46.11 |
10 | ¥41.473528 | ¥414.74 |
50 | ¥40.458441 | ¥2022.92 |
100 | ¥32.337751 | ¥3233.78 |
500 | ¥27.842368 | ¥13921.18 |
1000 | ¥24.072047 | ¥24072.05 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 30 V
配置 Single
下降时间 28 ns
漏极电流 4 A
耗散功率 30 W
漏源电阻 850 mOhms
上升时间 27 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 20 ns
漏源击穿电压 700 V
栅源极阈值电压 2.5 V
产品种类 分立半导体模块
类型 X2-Class
安装风格 Through Hole
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0IXTP4N70X2M
型号:IXTP4N70X2M
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥46.113922 |
10+: | ¥41.473528 |
50+: | ¥40.458441 |
100+: | ¥32.337751 |
500+: | ¥27.842368 |
1000+: | ¥24.072047 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥46.11