SI3439KDW-TP

制造商 Micro Commercial Components (MCC)

商标 Micro Commercial Components (MCC)

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 750 mA, 660 mA

漏源电阻 380 mOhms, 520 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.1 V

耗散功率 150 mW

通道模式 Enhancement

下降时间 7.4 ns, 20.3 ns

正向跨导（Min） 1.6 S, 1.2 S

上升时间 4.8 ns, 5.8 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 17.3 ns, 32.6 ns

典型接通延迟时间 6.7 ns, 9 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 7.500 mg