IXXH75N60B3
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- 制造商编号：
- IXXH75N60B3
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-IGBT
- 商品描述：
- DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥58.473055 | ￥1754.19 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 160 A
耗散功率 750 W
集电极连续电流（Max） 300 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
IXXH75N60B3 同类别型号
注
IXXH75N60B3
型号：IXXH75N60B3
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥58.473055 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00