TT8J2TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.701016 | ￥8103.05 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4.8 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TT8J2
单位重量 56.165 mg
TT8J2TR 同类别型号
注
TT8J2TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TT8J2TR
数据手册PDF。
TT8J2TR
型号：TT8J2TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.701016 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00