货期:(7~10天)
起订量:13
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
13 | ¥12.894043 | ¥167.62 |
20 | ¥12.397931 | ¥247.96 |
50 | ¥11.902105 | ¥595.11 |
100 | ¥11.406281 | ¥1140.63 |
300 | ¥10.910311 | ¥3273.09 |
500 | ¥10.414343 | ¥5207.17 |
1000 | ¥9.918373 | ¥9918.37 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.7 ns
正向跨导(Min) 168 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16.6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 129 mg
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0CSD16415Q5
型号:CSD16415Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
13+: | ¥12.894043 |
20+: | ¥12.397931 |
50+: | ¥11.902105 |
100+: | ¥11.406281 |
300+: | ¥10.910311 |
500+: | ¥10.414343 |
1000+: | ¥9.918373 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00