货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.610364 | ¥18.61 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 75 ns
正向跨导(Min) 10.5 S
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FDB14N30TM
型号:FDB14N30TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.610364 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.61