货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.320293 | ¥6.32 |
10 | ¥4.703756 | ¥47.04 |
100 | ¥2.665462 | ¥266.55 |
500 | ¥1.764821 | ¥882.41 |
1000 | ¥1.353029 | ¥1353.03 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 5.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SSM6N16FUTE85LF
型号:SSM6N16FUTE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.320293 |
10+: | ¥4.703756 |
100+: | ¥2.665462 |
500+: | ¥1.764821 |
1000+: | ¥1.353029 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.32