
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.246693 | ¥7.25 |
| 10 | ¥5.393212 | ¥53.93 |
| 100 | ¥3.056154 | ¥305.62 |
| 500 | ¥2.0235 | ¥1011.75 |
| 1000 | ¥1.55135 | ¥1551.35 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 5.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SSM6N16FUTE85LF
型号:SSM6N16FUTE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.246693 |
| 10+: | ¥5.393212 |
| 100+: | ¥3.056154 |
| 500+: | ¥2.0235 |
| 1000+: | ¥1.55135 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.25