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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 455 mA, 328 mA
漏源电阻 500 mOhms, 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 410 pC, 400 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 15.4 ns
上升时间 3.4 ns, 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 31 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns, 5.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMC21D1UDA-7B
型号:DMC21D1UDA-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
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